電弱點(diǎn)測試儀器符合國標(biāo)GB/T13542-92

產(chǎn)品型號：HCRD-2

廠商性質(zhì)：生產(chǎn)廠家

所在地：北京市

更新日期：2025-12-16

產(chǎn)品簡介：

一、電弱點(diǎn)測試儀產(chǎn)品簡介：

   電弱點(diǎn)測試儀儀器采用計(jì)算機(jī)控制，通過人機(jī)對話方式。主要用于電容器用聚脂薄膜、聚丙稀薄膜的電弱點(diǎn)測試。電氣用塑料薄膜的生產(chǎn)過程中，會出現(xiàn)薄膜穿孔、導(dǎo)電顆粒積聚、劃傷等影響電氣性能的電弱點(diǎn)。根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)《GB/T 13541-92電氣用塑料薄膜試驗(yàn)方法》，電氣用塑料薄膜要求進(jìn)行電弱點(diǎn)測試，在給定直流電壓下每平方米的擊穿點(diǎn)（電弱點(diǎn)）數(shù)成為衡量薄膜成量的重要指標(biāo)。設(shè)計(jì)的薄膜電弱點(diǎn)測試儀，無須將膜卷分切成小卷，根據(jù)薄膜的使用寬度直接進(jìn)行電弱點(diǎn)測試。由于薄膜在生 過程中極易引起縱向劃傷，該儀器引用“電 弱線"概念，即在規(guī)定的時(shí)間內(nèi)檢測到的試樣漏電 流均超過1mA時(shí)，認(rèn)定為該薄膜試樣在生產(chǎn)過 程中存在縱向劃痕，從而產(chǎn)生“電弱線"，測試儀統(tǒng) 計(jì)的電弱點(diǎn)總數(shù)為電弱點(diǎn)數(shù)與電弱線數(shù)之和。

二、電弱點(diǎn)測試儀主要特點(diǎn):

1、能根據(jù)薄膜的使用寬度進(jìn)行電弱點(diǎn)的測試，測試寬度可根據(jù)用戶的要求而設(shè)定，無須將膜分切成小卷，免除了許多外來因素對測試結(jié)果的影響。

2、測試數(shù)據(jù)能真實(shí)地反映薄膜的質(zhì)量水平。

3、主要元器件均選用如歐姆龍，美信，ABB等，有效地保證了設(shè)備的可靠性、耐用性和穩(wěn)定性。

4、測量，復(fù)現(xiàn)性好。

5、測試過程采用電子技術(shù)全自動控制，遇到電弱點(diǎn)時(shí)電壓切斷動作迅速。

6、擊穿電流在0～40mA連續(xù)可調(diào)，復(fù)現(xiàn)性好。

7、多重保護(hù)功能，充分考慮了操作人員及設(shè)備的安全性。

8、過壓、過流、接地保護(hù)，試驗(yàn)平臺門開啟保護(hù)。

五、儀器參數(shù)

1、TVS瞬間抑制防護(hù)技術(shù)：

   采用的光耦隔離方式，但光耦與隔離無非是提高儀器的采集的抗干擾處理,對于電弧放電過程中的浪涌對控制系統(tǒng)的防護(hù)起不到任何作用。華測的TVS瞬間抑制防護(hù)技術(shù)，將起到對控制系統(tǒng)的防護(hù)。

2、低通濾波電流監(jiān)測技術(shù):

   高壓壓放電過程中將產(chǎn)生高頻信號。而采集過程中無法將高頻信號處理時(shí)，從而造成檢測不。無論是采用磁通門或霍爾原理所設(shè)計(jì)的傳感器存在材料產(chǎn)生弱點(diǎn)后后瞬間輸出電壓或電流信號過大，從而燒壞控制系統(tǒng)的采集部分。華測開發(fā)的電流采集傳感器將高頻雜波信號進(jìn)行相應(yīng)處理。

3、雙系統(tǒng)互鎖技術(shù)及隔離屏蔽技術(shù)：

   采用雙系統(tǒng)互鎖技術(shù)應(yīng)用于電弱點(diǎn)儀器，此儀器不僅具備過壓、過流保護(hù)系統(tǒng)，它雙系統(tǒng)互鎖機(jī)制，當(dāng)任何元器件出現(xiàn)問題或單系統(tǒng)出現(xiàn)故障時(shí)，將瞬間切斷高壓，對控制系統(tǒng)防護(hù)。